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FDFMA2P029Z

更新时间： 2024-11-17 11:13:31

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
8页	254K
描述
集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，-20V，3.1A，95mΩ

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FDFMA2P029Z 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	0.95	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	150 pF	JEDEC-95代码：	MO-229VCCC
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDFMA2P029Z 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET

MOSFET – P-Channel,

POWERTRENCH⁾Integrated

with Schottky Diode

MAX

I MAX

DS(on)

−20 V

95 mW @ −4.5 V

141 mW @ −2.5 V

−3.1 A

-20 V, -3.1 A, 95 mW

SCHOTTKY DIODE

RRM

MAX

V MAX

I MAX

FDFMA2P029Z,

FDFMA2P029Z-F106

20 V

0.37 V @ 500 mA

2 A

Pin 1

General Description

This device is designed specifically as a single package solution for

the battery charge switch in cellular handset and other ultra−portable

applications. It features a MOSFET with very low on−state resistance

and an independently connected low forward voltage schottky diode

allows for minimum conduction losses.

The MicroFETt 2X2 package offers exceptional thermal

performance for its physical size and is well suited to linear mode

applications.

WDFN6 2x2, 0.65P

MicroFET

CASE 511DA

Features

MOSFET

MARKING DIAGRAM

• Max r

= 95 mW at V = –4.5 V, I = –3.1 A

GS D

DS(on)

&Z&2&K

P29

= 141 mW at V = –2.5 V, I = –2.5 A

DS(on)

• HBM ESD Protection Level > 2.5 kV (Note 1)

Schottky

• V < 0.37 V @ 500 mA

&Z = Assembly Plant Code

&2 = 2−Digit Date Code

&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code

P29 = Device Code

• Low Profile − 0.8 mm Maximum − In the New Package MicroFET

2x2 mm

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

NOTE:

PIN CONNECTIONS

1. The diode connected between the gate and source serves only

protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 6 of

this data sheet.

Publication Order Number:

February, 2022 − Rev. 3

FDFMA2P029Z/D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDFMA2P029Z_08	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and
FDFMA2P029Z-F106	ONSEMI	获取价格	集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，-20V，3.
FDFMA2P853	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
FDFMA2P853	ONSEMI	获取价格	集成式 P 沟道 Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管 -20V，-3
FDFMA2P853_06	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and
FDFMA2P853_08	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and
FDFMA2P853T	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and
FDFMA2P857	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3.0A, 120mohm
FDFMA2P857_08	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and
FDFMA2P859T	FAIRCHILD	获取价格	Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m

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