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FDFME2P823ZT

更新时间： 2024-11-16 19:51:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 251K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1.60 X 1.60 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, THIN, MICROFET-6

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FDFME2P823ZT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：UMLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
其他特性：ESD PROTECTION外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.142 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：75 pFJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDFME2P823ZT 数据手册

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July 2010  
FDFME2P823ZT  
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode  
®
-20 V, -2.6 A, 142 mΩ  
Features  
General Description  
This device is designed specifically as a single package solution  
for the battery charge switch in cellular handset and other  
ultra-portable appliacrions. It features as MOSFET with low  
on-state resistance and an independently connected low forward  
voltage schottky diode for minimum condution losses.  
„ Max rDS(on) = 142 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.3 A  
„ Max rDS(on) = 213 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -1.8 A  
„ Max rDS(on) = 331 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -1.5 A  
„ Max rDS(on) = 530 mΩ at VGS = -1.5 V, ID = -1.2 A  
The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal  
performance for it's physical size and is well suited to switching  
and linear mode applications.  
„ Low profile: 0.55 mm maximum in the new package  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
„ Schottky: VF < 0.57 V @ 1A  
Applications  
„ Free from halogenated compounds and antimony oxides  
„ HBM ESD protection level > 1600 V (Note 3)  
„ RoHS Compliant  
„ Battery Charging  
„ DC-DC Conversion  
D
NC  
A 1  
6 K  
5 G  
A
D
Pin 1  
K
NC 2  
S
G
3
4
D
S
K
TOP  
BOTTOM  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
-20  
V
V
±8  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
-2.6  
ID  
A
-6  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.4  
PD  
W
0.6  
VRRM  
IO  
28  
1
V
A
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
(Note 4)  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
(Note 1d)  
90  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Single Operation)  
195  
110  
234  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
3T  
FDFME2P823ZT  
MicroFET 1.6x1.6 Thin  
5000 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFME2P823ZT Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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