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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDFMC2P120
FDFMC2P120 PDF预览

FDFMC2P120

更新时间： 2024-11-15 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 124K
描述
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFMC2P120 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：3 X 3 MM, 0.80 MM HEIGHT, MLP-6针数：229
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-229WEEAJESD-30 代码：R-PDSO-F6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDFMC2P120 数据手册

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July 2005  
FDFMC2P120  
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode  
General Description  
Applications  
FDFMC2P120 combines the exceptional performance  
of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a  
very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier  
in a MicroFET package.  
• Buck Boost  
Features  
This device is designed specifically as a single package  
solution for Buck Boost. It features a fast switching, low  
gate charge MOSFET with very low on-state resistance.  
• –2 A, –20 V  
RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = –2.5 V  
• Low Profile – 0.8mm maximum – in the new package  
MicroFET 3x3 mm  
PIN 1  
2
3
TO BOTTOM  
NC  
A
1
2
3
6
5
4
S
A
G
S
6
5
4
BOTTOM  
TOP  
MLP 3x3  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
–20  
±12  
–3.5  
–10  
20  
Units  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current  
Power Dissipation (Steady State)  
ID  
(Note 1a)  
(Note a)  
VRRM  
IO  
PD  
V
A
W
2
2.4  
1.2  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
60  
145  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2P120  
FDFMC2P120  
7’’  
12mm  
3000 units  
FDFMC2P120 Rev.E (W)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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