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FDFMA2P853 PDF预览

FDFMA2P853

更新时间： 2024-11-15 22:12:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 301K
描述
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFMA2P853 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.25
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1171328Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：WDFN6 2x2, 0.65P CASE 511DA ISSUE O_1Samacsys Released Date：2020-06-09 08:29:32
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.2 A最大漏极电流 (ID)：2.2 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-229VCCCJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDFMA2P853 数据手册

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August 2005  
FDFMA2P853  
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode  
®
General Description  
Features  
This device is designed specifically as a single package  
solution for the battery charge switch in cellular handset  
and other ultra-portable applications. It features a MOSFET  
with low on-state resistance and an independently  
connected low forward voltage schottky diode for minimum  
conduction losses.  
MOSFET:  
„ -3.0 A, -20V. RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = -2.5 V  
RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = -1.8 V  
The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal  
performance for it's physical size and is well suited to linear  
mode applications.  
„ Low Profile - 0.8 mm maximun - in the new package  
MicroFET 2x2 mm  
Schottky:  
„ VF < 0.46 V @ 500 mA  
PIN  
A
NC D  
1
2
3
6
5
4
C
G
S
A
NC  
D
C
D
MicroFET  
G
S
C
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
MOSFET Drain-Source Voltage  
Ratings  
-20  
Units  
V
V
MOSFET Gate-Source Voltage  
±8  
-2.2  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
ID  
A
-6  
VRRM  
IO  
Schottky Repetitive Peak Reverse voltage  
Schottky Average Forward Current  
20  
V
A
1
1.4  
Power dissipation for Single Operation  
Power dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
W
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
oC  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
(Note 1d)  
86  
173  
86  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
oC/W  
140  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
.853  
FDFMA2P853  
7inch  
8mm  
3000 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
FDFMA2P853 Rev. C (W)  
1234567

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FDFMA2P853 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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