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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDFM2N111
FDFM2N111 PDF预览

FDFM2N111

更新时间： 2024-09-30 21:54:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
7页 284K
描述
Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFM2N111 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.33
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDFM2N111 数据手册

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August 2005  
FDFM2N111  
®
Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode  
General Description  
Applications  
FDFM2N111 combines the exceptional performance of  
Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very  
low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in a  
MicroFET package.  
„ Standard Buck Converter  
Features  
This device is designed specifically as a single package  
solution for Standard Buck Converter. It features a fast  
switching, low gate charge MOSFET with very low on-state  
resistance.  
„ 4 A, 20 V  
RDS(ON) = 100mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 150mΩ @ VGS = 2.5 V  
„ Low Profile - 0.8 mm maximun - in the new package  
MicroFET 3x3 mm  
PIN 1  
A
S/C  
G
1
2
3
6
5
4
A
A
S/C  
G
C
D
S/C  
D
D
A
S/C  
TOP  
BOTTOM  
MLP 3x3  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
20  
±12  
(Note 1a)  
4
ID  
A
10  
VRRM  
IO  
Schottky Repetitive Peak Reverse voltage  
Schottky Average Forward Current  
20  
V
A
(Note 1a)  
2
1.7  
Power dissipation (Steady State)  
Power dissipation (Steady State)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
W
0.8  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
oC  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
70  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
150  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
3000 units  
2N111  
FDFM2N111  
7inch  
12mm  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
FDFM2N111 Rev. C2 (W)  
1234567

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