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FDFM2P110 PDF预览

FDFM2P110

更新时间： 2024-11-15 22:31:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
7页 521K
描述
Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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FDFM2P110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-229WEEAJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDFM2P110 数据手册

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April 2005  
FDFM2P110  
Integrated P-Channel PowerTrench®  
MOSFET and Schottky Diode  
Features  
General Description  
■ –3.5 A, –20 V  
R
R
= 140 mΩ @ V = –4.5 V  
FDFM2P110 combines the exceptional performance of Fairchild’s  
PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage  
drop Schottky barrier rectifier in a MicroFET package.  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 200 mΩ @ V = –2.5 V  
GS  
■ Low Profile – 0.8mm maximum – in the new package  
MicroFET 3x3 mm  
This device is designed specifically as a single package solution  
for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate  
charge MOSFET with very low on-state resistance.  
Applications  
■ DC-DC Converter  
Pin 1  
1
2
3
6
5
4
Top  
Bottom  
MLP 3x3  
Absolute Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
–20  
V
V
A
DSS  
12  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–3.5  
D
–10  
V
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage  
Schottky Average Forward Current  
Power Dissipation (Steady State)  
20  
V
A
RRM  
D
I
(Note 1a)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2
2.4  
O
P
W
1.2  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
60  
°C/W  
θJA  
θJA  
145  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2P110  
FDFM2P110  
7"  
12mm  
3000 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDFM2P110 Rev. C2  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDFM2P110_0508 FAIRCHILD

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