是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.96 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.68 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 90 pF |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDFMA2N028Z_08 | FAIRCHILD |
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Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and | |
FDFMA2P029Z | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3.1A, 95mohm | |
FDFMA2P029Z | ONSEMI |
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集成式 P 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,-20V,3. | |
FDFMA2P029Z_08 | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and | |
FDFMA2P029Z-F106 | ONSEMI |
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集成式 P 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,-20V,3. | |
FDFMA2P853 | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode | |
FDFMA2P853 | ONSEMI |
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集成式 P 沟道 Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管 -20V,-3 | |
FDFMA2P853_06 | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and | |
FDFMA2P853_08 | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and | |
FDFMA2P853T | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and |