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FDD5612

更新时间： 2024-11-19 11:16:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 441K
描述
60V N 沟道 PowerTrench® MOSFET 18A，55mΩ

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FDD5612 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：90 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.055 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：36 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD5612 数据手册

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MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
60 V  
FDD5612  
General Description  
This N−Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either  
synchronous or conventional switching PWM controllers.  
These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge  
www.onsemi.com  
D
than other MOSFETs with comparable R  
specifications.  
DS(ON)  
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very  
high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher  
overall efficiency.  
G
Features  
• 18 A, 60 V  
S
♦ R  
♦ R  
= 55 mW @ V = 10 V  
GS  
DS(ON)  
= 64 mW @ V = 6 V  
DS(ON)  
GS  
• Optimized for Use in High Frequency DC/DC Converters  
• Low Gade Charge  
D
G
• Very Fast Switching  
S
• This Device is Pb−Free and are RoHS Compliant  
DPAK3 (TO−252 3 LD)  
CASE 369AS  
MARKING DIAGRAM  
$Y&Z&3&K  
FDD  
5612  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
&Z  
&3  
&K  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Lot Code  
FDD5612  
= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
January, 2021 − Rev. 4  
FDD5612/D  
12345678

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FDD5612 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD3055L104T4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET
NTD18N06LT4G ONSEMI

类似代替

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RFD14N05L ONSEMI

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FDD5614P FAIRCHILD

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FDD5614P_05 FAIRCHILD

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 		60V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDD5614P_NL FAIRCHILD

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FDD5670 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDD5670 ONSEMI

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 		60V N-Channel PowerTrench® MOSFET
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FDD5680 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel, PowerTrench⑩ MOSFET

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