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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, D2PAK-7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.87 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 864 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 219 A | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 214 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 876 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB024N06 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，265A，2.4mΩ |
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| FDB024N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 265A, 2.4m |
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| FDB024N08BL7 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，229A，2.4mΩ |
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| FDB0250N807L | ONSEMI |
获取价格 |
80 V N-沟道 PowerTrench® MOSFET |
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| FDB0260N1007L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，200A，2.6mΩ |
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| FDB029N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 193A, 3.1m |
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| FDB029N06 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，193A，3.1mΩ |
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| FDB0300N1007L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，200A，3mΩ |
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| FDB031N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 235A, 3.1m |
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| FDB031N08 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V，235A，3.1mΩ |
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