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FDB035AN06A0

更新时间： 2024-11-13 22:17:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
11页 230K
描述
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз

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FDB035AN06A0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263AB, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.21
雪崩能效等级（Eas）：625 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB035AN06A0 数据手册

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July 2002  
FDB035AN06A0  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60V, 80A, 3.5mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 3.2mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Low Qrr Body Diode  
Injection Systems  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82584  
D
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
(FLANGE)  
S
TO-263AB  
FDB SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC < 153oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, with RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
22  
Figure 4  
625  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.07  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
0.48  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive  
industry. For a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality  
systems certification.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB035AN06A0 Rev. A  
1234567...11

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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