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FDB050AN06A0_NL

更新时间： 2024-11-14 19:49:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 496K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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FDB050AN06A0_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：470 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB050AN06A0_NL 数据手册

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February 2003  
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 80A, 5mΩ  
Features  
Applications  
•
rDS(ON) = 4.3mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
•
Qg(tot) = 61nC (Typ.), VGS = 10V  
ABS Systems  
• Low Miller Charge  
Powertrain Management  
Injection Systems  
•
•
•
Low QRR Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82575  
D
DRAIN  
(FLANGE)  
GATE  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
TO-220AB  
FDP SERIES  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 135oC, VGS = 10V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
18  
Figure 4  
470  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
245  
W
PD  
1.63  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
0.61  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 Rev. A  
1234567...11

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与FDB050AN06A0_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB050AN06A0-SN00125 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDB060AN08A0 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
FDB060AN08A0 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，75V，80A，6mΩ
FDB060AN08A0_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB0630N1507L ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，6.4mΩ
FDB0690N1507L ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，115A，6.9mΩ
FDB070AN06_F085 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ
FDB070AN06A0 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m
FDB070AN06A0 ONSEMI

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 		N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V，80A，7mΩ
FDB070AN06A0_F085 FAIRCHILD

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