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FDB070AN06A0_F085

更新时间： 2024-11-14 20:38:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 737K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3/2

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FDB070AN06A0_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3/2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.78
雪崩能效等级（Eas）：190 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB070AN06A0_F085 数据手册

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May 2012  
FDB070AN06A0_F085  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
60V, 80A, 7mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
rDS(ON) = 6.1mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 51nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Injection Systems  
Low QRR Body Diode  
•
•
•
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
RoHS Compliant  
Formerly developmental type 82567  
D
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
TO-263AB  
FDB SERIES  
(FLANGE)  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
20  
Continuous (TC < 97oC, VGS = 10V)  
Continuous (TA = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
15  
Figure 4  
190  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
175  
W
PD  
1.17  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-220,TO-263  
0.86  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220,TO-263 (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For a  
copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems  
certification.  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB070AN06A0_F085 Rev. B1  
www.fairchildsemi.com  
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FDB070AN06A0_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDB070AN06A0 FAIRCHILD

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 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m

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FDB070AN06A0-F085 ONSEMI

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 		DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 1.4W, Hybrid

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