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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 0.94 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 558 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 333 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 704 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB039N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9m |
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| FDB039N06_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9 |
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| FDB045AN08 | FAIRCHILD |
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N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4. |
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| FDB045AN08_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5m |
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| FDB045AN08A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4. |
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| FDB045AN08A0 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V，80 A，4.5 mΩ |
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| FDB045AN08A0_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 80A, 4.5mヘ |
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| FDB045AN08A0_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5 |
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| FDB045AN08A0_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5 |
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| FDB045AN08A0_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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