5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB140NF75T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 75V - 0.0065 - 120A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET III Power MOSFET |
|
| IRFR024NTRPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRFR1205PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB045AN08A0_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 75V, 80A, 4.5mヘ |
|
| FDB045AN08A0_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5 |
|
| FDB045AN08A0_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5 |
|
| FDB045AN08A0_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB045AN08A0-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
75 V、80 A、3.9 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench® |
|
| FDB045AN08A0-SN00005 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDB047N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 100V, 164A, 4.7 |
|
| FDB047N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，164A，4.7mΩ |
|
| FDB047N10_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4. |
|
| FDB050AN06A0 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
