5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDB035AN06A0_F085
FDB035AN06A0_F085 PDF预览

FDB035AN06A0_F085

更新时间： 2024-11-14 21:22:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 272K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3/2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDB035AN06A0_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263AB, 3/2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
雪崩能效等级（Eas）：625 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：310 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB035AN06A0_F085 数据手册

 浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDB035AN06A0_F085的Datasheet PDF文件第7页 
January 2012  
FDB035AN06A0_F085  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
60V, 80A, 3.5mΩ  
Features  
Applications  
•
•
•
•
•
•
rDS(ON) = 3.2mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A  
Qg(tot) = 95nC (Typ.), VGS = 10V  
Low Miller Charge  
•
•
•
•
•
•
•
Motor / Body Load Control  
ABS Systems  
Powertrain Management  
Injection Systems  
Low Qrr Body Diode  
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)  
Qualified to AEC Q101  
DC-DC converters and Off-line UPS  
Distributed Power Architectures and VRMs  
Primary Switch for 12V and 24V systems  
Formerly developmental type 82584  
D
GATE  
G
DRAIN  
SOURCE  
(FLANGE)  
S
TO-263AB  
FDB SERIES  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
60  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
V
±20  
Continuous (TC < 153oC, VGS = 10V)  
Continuous (Tamb = 25oC, VGS = 10V, with RθJA = 43oC/W)  
Pulsed  
80  
A
ID  
22  
Figure 4  
625  
A
A
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)  
mJ  
Power dissipation  
Derate above 25oC  
310  
W
PD  
2.07  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance Junction to Case TO-263  
0.48  
62  
oC/W  
oC/W  
oC/W  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-263, 1in2 copper pad area  
43  
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive  
industry. For a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/  
Reliability data can be found at: http://www.fairchildsemi.com/products/discrete/reliability/index.html.  
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality  
systems certification.  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB035AN06A0_F085 Rev. A  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与FDB035AN06A0_F085相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB035AN06A0_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB035AN06A0_NL ROCHESTER

获取价格

 		22A, 60V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263AB, 3 P
FDB035AN06A0-F085 ONSEMI

获取价格

 		60 V、80 A、3.2 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench®
FDB035N10A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 214A, 3.
FDB035N10A ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，214A，3.5mΩ
FDB039N06 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9m
FDB039N06_12 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9
FDB045AN08 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.
FDB045AN08_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 4.5m
FDB045AN08A0 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.

与FDB035AN06A0_F085相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证