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E5V0LUDX4B

更新时间： 2024-11-06 14:53:47

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先科 - SWST		二极管
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3页	241K
描述
静电保护二极管

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E5V0LUDX4B 数据手册

E5V0LUDX4B

ESD Protection Diode

Features

• Low capacitance

• Low leakage current

Applications

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. I/O4

SOT-553 Plastic Package

• Communication systems

• Computers

• Printers

• Wireline and wireless telephone sets

• Set top boxes

• Cellular phone handsets and acessories

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

P_PK

Value

Unit

I_PP

Air

Contact

± 25

V_ESD

IEC61000-4-2 (ESD)

Junction Temperature

T_j

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Working Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

0.5

I_R

μA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Gnd

at I_PP= 2 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to Gnd

V_C

9.8

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 100 ns, tn = 0.2 ns, Any I/O Pin to Gnd

at I_TLP=16 A, tp = 100 ns, tn = 0.2 ns, Any I/O Pin to Gnd

V_CL

10.6

18.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.67

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16A.

1 / 3

Dated: 25/01/2022 Rev: 01

12 3

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