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E5V0MUDW5BH

更新时间： 2023-12-06 20:02:11

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先科 - SWST		二极管
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3页	245K
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静电保护二极管

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E5V0MUDW5BH 数据手册

E5V0MUDW5BH

ESD Protection Diode

Features

• Low clamping voltage

Applications

• Cellular handsets and accessories

• Cordless phones

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. I/O4 6. I/O5

Marking Code: J5

SOT-363 Plastic package

• Notebooks, handhelds and digital cameras

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

240

Unit

P_PK

I_PP

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating JunctionTemperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

µA

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

I_R

V_F

0.9

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 12 A, tp = 8/20 µs

V_C

C_j

9.5

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

150

1 / 3

Dated: 05/02/2021 Rev: 01

12 3

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