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E5V0MUPB1C

更新时间： 2024-11-06 14:55:59

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先科 - SWST		二极管
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3页	198K
描述
静电保护二极管

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E5V0MUPB1C 数据手册

E5V0MUPB1C

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Features

• Low leakage current

• Low operating voltage

Anode

Applications

Transparent top view

Simplified outline DFN0603-2BV and symbol

• Cellular handsets and accessories

• Portable electronics

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

100

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

IEC61000-4-2 (ESD)

I_PP

Air

Contact

± 30

V_ESD

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 8 A , tp = 8/20 µs

V_C

12.5

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

7.9

9.1

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

160

R_dyn

0.1

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 03/04/2023 Rev: 02

12 3

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