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E5V0MBPC1A

更新时间： 2024-11-25 14:53:39

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先科 - SWST		二极管
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3页	199K
描述
静电保护二极管

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E5V0MBPC1A 数据手册

E5V0MBPC1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Low capacitance

• Low clamping voltage

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2H and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

200

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 μs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 μs)

ESD per IEC 61000-4-2

I_PP

Air

Contact

± 30

V_ESD

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 10 µA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_R=5 V

I_R

Clamping Voltage

at I_PP= 13 A , tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

7.4

8.1

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.06

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 28/11/2022 Rev : 02

12 3

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