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E5V0MUPD1C

更新时间： 2023-12-06 20:07:42

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先科 - SWST		二极管
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3页	173K
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静电保护二极管

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E5V0MUPD1C 数据手册

E5V0MUPD1C

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Features

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

Anode

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

P_PK

Value

175

Unit

I_PP

13.5

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 13.5 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 100 ns, tn = 0.2 ns

at I_TLP= 16 A, tp = 100 ns, tn = 0.2 ns

V_CL

7.9

9.8

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

120

R_dyn

0.16

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16A.

1 / 3

Dated : 04/05/2023 Rev : 02

12 3

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