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E5V0MBWB1AH

更新时间： 2024-11-25 14:55:11

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先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	208K
描述
静电保护二极管

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E5V0MBWB1AH 数据手册

E5V0MBWB1AH

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Low leakage current

Anode

• Low clamping voltage

Applications

• Cell phone handsets and accessories

• Microprocessor based equipment

• Personal digital assistants (PDA’s)

• Notebooks, desktops, and servers

Top View

Simplified outline SOD-323(Bend Lead) and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

P_PK

Value

400

Unit

I_PP

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter Symbol

Reverse Stand-Off Voltage V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

I_R

5.5

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

µA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 35 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

7.3

8.3

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

100

R_dyn

0.08

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 02/03/2022 Rev : 01

12 3

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