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E5V0SBP1A

更新时间： 2024-11-06 14:56:03

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先科 - SWST		二极管
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4页	210K
描述
静电保护二极管

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E5V0SBP1A 数据手册

E5V0SBP1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Transparent top view

Simplified outline DFN0603 and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

Unit

P_PK

I_PP

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Temperature

T_j

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

V_(BR)R

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

Clamping Voltage

I_R

0.1

µA

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 5 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 7 A , tp = 8/20 µs

10.5

12.5

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP=4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

Junction Capacitance

at V_R= 0 V , f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.25

Ω

Dynamic Resistance calculated from ITLP = 4A to ITLP = 16 A .

1 / 4

Dated : 18/02/2022 Rev : 01

12 3 4

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