5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> DTD113E
DTD113E PDF预览

DTD113E

更新时间： 2024-11-20 22:29:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

DTD113E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-226AA, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：3JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTD113E 数据手册

 浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTD113E的Datasheet PDF文件第7页 
Preferred Devices  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor  
Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network  
consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter  
resistor. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce  
both system cost and board space. The device is housed in the TO–92  
package which is designed for through hole applications.  
http://onsemi.com  
NPN SILICON  
BIAS RESISTOR  
TRANSISTOR  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
2
V
CBO  
BASE  
V
CEO  
50  
Vdc  
1
I
C
100  
mAdc  
EMITTER  
Total Power Dissipation  
P
D
(1.)  
@ T = 25°C  
350  
mW  
A
Derate above 25°C  
2.81  
mW/°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient (surface mounted)  
R
357  
°C/W  
θ
JA  
1
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
2
3
Maximum Temperature for  
Soldering Purposes,  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
CASE 29  
TO–92 (TO–226)  
STYLE 1  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
5000/Box  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
10  
22  
47  
10  
10  
4.7  
1.0  
2.2  
4.7  
4.7  
10  
22  
47  
47  
∞
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
∞
1.0  
2.2  
4.7  
47  
1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using the  
minimum recommended footprint.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
May, 2000 – Rev. 0  
DTC114E/D  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

DTD113E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MUN2230T1G ONSEMI

类似代替

 Bias Resistor Transistors
MUN2230T1 ONSEMI

类似代替

 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MUN2230T1 LRC

功能相似

 Bias Resistor Transistor

与DTD113E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTD113EA ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3
DTD113EC ROHM

获取价格

 		DTD113EC是电阻内置型晶体管。偏置用电阻由薄膜电阻构成，由于采用完全绝缘，可将输入向
DTD113ECHZG ROHM

获取价格

 		DTD113ECHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。
DTD113ECHZGT116 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTD113ECT116 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
DTD113EF ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3
DTD113EK ROHM

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistors)
DTD113EK_09 ROHM

获取价格

 		500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTD113EK_1 ROHM

获取价格

 		500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTD113EKT146 ROHM

获取价格

 		NPN 500mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

与DTD113E相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证