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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 33 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113EC | ROHM |
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DTD113EC是电阻内置型晶体管。偏置用电阻由薄膜电阻构成，由于采用完全绝缘，可将输入向 |
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| DTD113ECHZG | ROHM |
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DTD113ECHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 |
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| DTD113ECHZGT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| DTD113ECT116 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| DTD113EF | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
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| DTD113EK | ROHM |
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Digital transistors (built-in resistors) |
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| DTD113EK_09 | ROHM |
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500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
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| DTD113EK_1 | ROHM |
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500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
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| DTD113EKT146 | ROHM |
获取价格 |
NPN 500mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| DTD113EKT147 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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