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DTD113EF

更新时间: 2024-02-19 12:30:45
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罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 PIN

DTD113EF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.61
Is Samacsys:N其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):33
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

DTD113EF 数据手册

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