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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 33 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113EKT246 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| DTD113EL | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
|
| DTD113ELTL2 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTD113ELTL3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTD113EN | ETC |
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TRANSISTOR | TO-92 |
|
| DTD113ERL | ONSEMI |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN |
|
| DTD113ERL1 | ONSEMI |
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100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN |
|
| DTD113ERLRA | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP Gener |
|
| DTD113ERLRE | ONSEMI |
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暂无描述 |
|
| DTD113ERLRM | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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