5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 33 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113ELTL3 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTD113EN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | TO-92 |
|
| DTD113ERL | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN |
|
| DTD113ERL1 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN |
|
| DTD113ERLRA | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP Gener |
|
| DTD113ERLRE | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DTD113ERLRM | ONSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DTD113ERLRP | ONSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP Gener |
|
| DTD113ES | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistors) |
|
| DTD113ESTP | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
