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DTD113ERLRA

更新时间： 2024-11-18 15:31:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 171K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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DTD113ERLRA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-226, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：3JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTD113ERLRA 数据手册

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DTC114E Series  
Preferred Devices  
Bias Resistor Transistor  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor  
Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network  
consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter  
resistor. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce  
both system cost and board space. The device is housed in the TO–92  
package which is designed for through hole applications.  
http://onsemi.com  
NPN SILICON  
BIAS RESISTOR  
TRANSISTOR  
PIN 3  
COLLECTOR  
(OUTPUT)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
R1  
R2  
V
CBO  
PIN 2  
BASE  
(INPUT)  
V
CEO  
50  
Vdc  
PIN 1  
EMITTER  
(GROUND)  
I
C
100  
mAdc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25°C (Note 1.)  
350  
mW  
A
Derate above 25°C  
2.81  
mW/°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient (surface mounted)  
R
357  
°C/W  
θ
JA  
1
2
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
3
CASE 29  
TO–92 (TO–226)  
STYLE 1  
Maximum Temperature for  
Soldering Purposes,  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
MARKING DIAGRAM  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
5000/Box  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
10  
22  
47  
10  
10  
4.7  
1.0  
2.2  
4.7  
4.7  
10  
22  
47  
47  
∞
DTC1xxx  
YWW  
∞
1.0  
2.2  
4.7  
47  
DTC1 = Specific Device Code  
xxx  
Y
WW  
= (See Table)  
= Year  
= Work Week  
1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using the  
minimum recommended footprint.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
402  
Publication Order Number:  
January, 2001 – Rev. 2  
DTC114E/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTD113ERLRE ONSEMI

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 		暂无描述
DTD113ERLRM ONSEMI

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 		暂无描述
DTD113ERLRP ONSEMI

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP Gener
DTD113ES ROHM

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 		Digital transistors (built-in resistors)
DTD113ESTP ROHM

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 		暂无描述
DTD113EV ETC

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DTD113EVTV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTD113EZL1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226, 3 PIN, BIP Gener
DTD113Z UTC

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 		NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS)

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