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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RN1426 | TOSHIBA |
功能相似  |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
|
| BCR523 | INFINEON |
功能相似 |
NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD113ZK_09 | ROHM |
获取价格 |
500mA / 50V Digital transistors |
|
| DTD113ZK_1 | ROHM |
获取价格 |
500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) |
|
| DTD113ZKFRAT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| DTD113ZKT146 | ROHM |
获取价格 |
DTD113Z series |
|
| DTD113ZKT246 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
|
| DTD113ZL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
|
| DTD113ZL-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTD113ZL-AE3-G-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| DTD113ZL-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTD113ZL-AL3-6-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
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