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DTD113ZAC2

更新时间: 2024-11-02 19:19:47
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罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3 PIN

DTD113ZAC2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.61其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

DTD113ZAC2 数据手册

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