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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.71 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP32,.56 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 最小待机电流： | 2.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62148VLL-70BAI | CYPRESS |
获取价格 |
512K x 8 MoBL Static RAM |
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| CY62148VLL-70BAI | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36 |
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| CY62148VLL-70BAIT | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36 |
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| CY62148VLL-70SI | CYPRESS |
获取价格 |
512K x 8 MoBL Static RAM |
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| CY62148VLL-70SI | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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| CY62148VLL-70SIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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| CY62148VLL-70ZI | CYPRESS |
获取价格 |
512K x 8 MoBL Static RAM |
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| CY62148VLL-70ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CY62148VN | CYPRESS |
获取价格 |
4 Mbit (512K x 8) Static RAM |
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| CY62148VNLL | CYPRESS |
获取价格 |
4 Mbit (512K x 8) Static RAM |
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