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CY62148VNLL-70ZSXI

更新时间： 2024-01-07 04:56:41
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 389K
描述
4 Mbit (512K x 8) Static RAM

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CY62148VNLL-70ZSXI 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-32针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：COMMERCIAL
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY62148VNLL-70ZSXI 数据手册

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CY62148VN MoBL®  
4 Mbit (512K x 8) Static RAM  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power down feature that significantly reduces power  
consumption by 99 percent when addresses are not toggling.  
The device can be put into standby mode when deselected (CE  
HIGH).  
Features  
■ Wide Voltage Range: 2.7V to 3.6V  
■ Ultra Low Active Power  
■ Low Standby Power  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable (CE)  
and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins  
(I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on  
the address pins (A0 through A18).  
■ TTL-compatible Inputs and Outputs  
■ Automatic Power Down when deselected  
■ CMOS for optimum Speed and Power  
Reading from the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable  
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins appear on the I/O pins.  
■ Package available in a 32-Pin TSOP II and a 32-Pin SOIC  
Package  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high impedance state when the device is deselected (CE HIGH),  
the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write operation  
(CE LOW and WE LOW).  
Functional Description  
The CY62148VN is a high performance CMOS static RAM  
organized as 512K words by eight bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra-low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life(MoBL) in portable  
For best practice recommendations, refer to the Cypress  
application note AN1064, SRAM System Guidelines.  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
Data in Drivers  
1
2
3
4
5
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
512K x 8  
ARRAY  
5
A
6
A
A
A
7
8
9
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
I/O  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number : 001-55636 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 6, 2010  
[+] Feedback  
1234567...10

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CY62148VNLL-70ZSXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62148VNLL-70SXI CYPRESS

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