是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS, LOW STANDBY POWER |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8.5 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | COMMERCIAL |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY62148VLL-70BAIT | ROCHESTER |
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512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 7 X 8.50 X 1.50 MM, FINE PITCH, TBGA-36 | |
CY62148VLL-70SI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148VLL-70SI | ROCHESTER |
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512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | |
CY62148VLL-70SIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 | |
CY62148VLL-70ZI | CYPRESS |
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512K x 8 MoBL Static RAM | |
CY62148VLL-70ZIT | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY62148VN | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY62148VNLL | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8) Static RAM | |
CY62148VNLL-70SXI | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, SOIC-32 | |
CY62148VNLL-70ZSXI | CYPRESS |
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4 Mbit (512K x 8) Static RAM |