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CY62148LL-100SI

更新时间： 2024-01-11 19:36:29
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 220K
描述
x8 SRAM

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CY62148LL-100SI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-32针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.71
最长访问时间：100 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY62148LL-100SI 数据手册

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1CY62148  
CY62148  
512K x 8 Static RAM  
an automatic power-down feature that reduces power con-  
sumption by more than 99% when deselected.  
Features  
• 4.5V − 5.5V operation  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location speci-  
fied on the address pins (A0 through A18).  
— 660 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip En-  
able (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH for read. Under these conditions, the con-  
tents of the memory location specified by the address pins will  
appear on the I/O pins.  
• Low standby power (L version)  
— 2.75 mW (max.)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY62148 is a high-performance CMOS static RAM orga-  
nized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW  
Output Enable (OE), and three-state drivers. This device has  
The CY62148 is available in a standard 32 pin 450-mil-wide  
body width SOIC and 32 pin TSOP II packages.  
Logic Block Diagram  
Pin  
Configuration  
Top View  
SOIC  
TSOP II  
A
VCC  
32  
31  
30  
1
17  
A
16  
A
14  
A
12  
A
15  
2
3
4
A
18  
29  
28  
WE  
A
13  
5
I/O  
A
7
0
27  
26  
INPUT BUFFER  
A
A
5
6
A
8
6
A
9
7
8
9
10  
11  
12  
13  
I/O  
I/O  
1
A
0
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
11  
4
A
A
3
1
4
OE  
A
2
A
A
2
10  
A
A
1
5
6
CE  
I/O  
A
A
7
I/O  
I/O  
I/O  
0
3
4
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
7
I/O  
0
I/O  
1
I/O  
2
I/O  
6
20  
19  
A
12  
I/O  
5
4
3
14  
15  
16  
A
14  
I/O  
I/O  
18  
17  
A
16  
GND  
A
17  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
I/O  
WE  
62148-1  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
March 14, 2001  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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