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CS3N30B23H

更新时间： 2024-10-29 17:00:47

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SOT-223

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CS3N30B23H 数据手册

CS3N30 B23H

○

Electrical Characteristics（Tc= 25℃ unless otherwise specified）：

OFF Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

300

Max.

V_GS=0V, I_D=250µA

Drain to Source Breakdown Voltage

Bvdss Temperature Coefficient

V_DSS

ID=250uA,Reference25℃

0.5

V/℃

ΔBV_DSS/ΔT_J

V_DS=300V, V_GS= 0V,

T_a= 25℃

V_DS=240V, V_GS= 0V,

T_a= 125℃

Drain to Source Leakage Current

µA

I_DSS

100

-100

V_DS=0V, V_GS= 30V

V_DS=0V,V_GS=-30V

Gate to Source Forward Leakage

Gate to Source Reverse Leakage

I_GSS(F)

I_GSS(R)

ON Characteristics

Rating

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Typ. Max.

V_GS=10V,I_D=1.5A

Drain-to-Source On-Resistance

Gate Threshold Voltage

R_DS(ON)

V_GS(TH)

2.2

Ω

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

2.0

4.0

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Dynamic Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

V_DS=15V, I_D=1.5A

Forward Transconductance

Input Capacitance

g_fs

C_iss

C_oss

C_rss

120

V_GS= 0V V_DS= 25V

f = 1.0MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

4.8

Resistive Switching Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

Turn-on Delay Time

Rise Time

t_d(ON)

t_d(OFF)

t_f

I_D=3A V_DD= 150V

V_GS= 10V R_G=10Ω

Turn-Off Delay Time

Fall Time

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain (“Miller”)Charge

Q_g

4.2

0.9

1.8

I_D=3A V_DD=240V

V_GS= 10V

Q_gs

Q_gd

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD.

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2015V01

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