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CRTK140P03L

更新时间: 2024-04-09 19:00:04
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华润微 - CRMICRO 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 1472K
描述
PDFN3.3×3.3

CRTK140P03L 数据手册

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CRTK140P03L  
Trench P-MOSFET -30V, 10mΩ, -35A  
华润微电子(重庆)有限公司  
Typical Performance Characteristics  
Fig 1: Output Characteristics  
Fig 2: Transfer Characteristics  
100  
100  
80  
60  
40  
20  
0
VGS=-10V  
VGS=-7V  
VGS=-4.5V  
80  
60  
40  
20  
0
VDS=-5V  
VGS=-3.5V  
150°C  
VGS=-3V  
VGS=2.5V  
25°C  
0
1
2
3
4
5
-VDS (V)  
1
2
3
4
5
6
-VGS (V)  
Fig 3: Rds(on) vs Drain Current and  
Gate Voltage  
Fig 4: Rds(on) vs Gate Voltage  
30  
55  
45  
35  
25  
15  
5
ID=-14A  
24  
18  
12  
6
VGS=-4.5V  
VGS=-10V  
150°C  
25°C  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
-ID (A)  
-VGS (V)  
Fig 6: Capacitance Characteristics  
Fig 5: Rds(on) vs. Temperature  
10000  
1000  
100  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
VGS=-10V  
ID=-14A  
VGS=0V  
f=1MHz  
C iss  
Coss  
Crss  
10  
0
6
12  
18  
24  
30  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150 175  
Tj - Junction Temperature (°C)  
-VDS (V)  
Rev2.0  
©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited  
Page 4  

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