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CPV362MU

更新时间： 2024-11-19 22:28:43

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IGBT SIP MODULE Ultra-Fast IGBT

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CPV362MU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	其他特性：	ULTRA FAST
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7.2 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T13	元件数量：	6
端子数量：	13	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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PD - 5.027

CPV362MU

IGBT SIP MODULE

Ultra-Fast IGBT

Features

• Fully isolated printed circuit board mount package

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• HEXFRED^TMsoft ultrafast diodes

• Optimized for high operating frequency (over 5kHz)

See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

Product Summary

Output Current in a Typical 20 kHz Motor Drive

3.5 A_RMSper phase (1.1 kW total) with T _C= 90°C, T_J= 125°C, Supply Voltage 360Vdc,

Power Factor 0.8, Modulation Depth 80% (See Figure 1)

Description

The IGBT technology is the key to International Rectifier's advanced line of

IMS (Insulated Metal Substrate) Power Modules. These modules are more

efficient than comparable bipolar transistor modules, while at the same time

having the simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET.

This superior technology has now been coupled to a state of the art materials

system that maximizes power throughput with low thermal resistance. This

package is highly suited to motor drive applications and where space is at a

premium.

IMS-2

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Collector-to-Emitter Voltage

Max.

600

Units

V_CES

I_C@ T_C= 25°C

Continuous Collector Current, each IGBT

Pulsed Collector Current

7.2

I_C@ T_C= 100°C

3.9

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

I_F@ T_C= 100°C

3.4

I_FM

V_GE

±20

V_RMS

V_ISOL

Isolation Voltage, any terminal to case, 1 min.

Maximum Power Dissipation, each IGBT

2500

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation, each IGBT

9.1

T_J

Operating Junction and

-40 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

5-7 lbf•in (0.55-0.8 N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

—

Max.

Units

_θJC(IGBT)

Junction-to-Case, each IGBT, one IGBT in conduction

Junction-to-Case, each diode, one diode in conduction

Case-to-Sink,flat,greased surface

5.5

9.0

—

_θJC(DIODE)

_θCS(MODULE)

—

°C/W

0.1

Weight of module

20 (0.7)

—

g (oz)

Revision 1

C-741

To Order

12 3 4 5 6 7 8

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