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CPV363M4UPBF

更新时间： 2024-10-30 09:30:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 277K
描述
IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT)

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CPV363M4UPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T13
针数：13Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：5.15Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：13 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-PSIP-T13
元件数量：6端子数量：13
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：340 ns
标称接通时间 (ton)：57 nsBase Number Matches：1

CPV363M4UPBF 数据手册

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CPV363M4UPbF  
Vishay High Power Products  
IGBT SIP Module  
(Ultrafast IGBT)  
FEATURES  
• Fully isolated printed circuit board mount package  
• Switching-loss rating includes all “tail” losses  
• HEXFRED® soft ultrafast diodes  
RoHS  
COMPLIANT  
• Optimized for medium speed 1 to 10 kHz  
See fig. 1 for current vs. frequency curve  
IMS-2  
• Totally lead (Pb)-free  
• Designed and qualified for industrial level  
PRODUCT SUMMARY  
OUTPUT CURRENT IN A TYPICAL 20 kHz MOTOR DRIVE  
DESCRIPTION  
IRMS per phase (2.1 kW total)  
7.1 ARMS  
The IGBT technology is the key to Vishay’s HPP advanced  
line of IMS (Insulated Metal Substrate) power modules.  
These modules are more efficient than comparable bipolar  
transistor modules, while at the same time having the simpler  
gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. This  
superior technology has now been coupled to a state of the  
art materials system that maximizes power throughput with  
low thermal resistance. This package is highly suited to  
motor drive applications and where space is at a premium.  
with TC = 90 °C  
TJ  
125 °C  
360 Vdc  
0.8  
Supply voltage  
Power factor  
Modulation depth (see fig. 1)  
115 %  
VCE(on) (typical)  
at IC = 6.8 A, 25 °C  
1.7 V  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX.  
600  
13  
UNITS  
Collector to emitter voltage  
VCES  
V
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
Continuous collector current, each IGBT  
IC  
T
6.8  
(1)  
Pulsed collector current  
ICM  
40  
A
(2)  
Clamped inductive load current  
Diode continuous forward current  
ILM  
40  
IF  
TC = 100 °C  
6.1  
Diode maximum forward current  
Gate to emitter voltage  
Isolation voltage  
IFM  
VGE  
40  
20  
2500  
V
VISOL  
Any terminal to case, t = 1 min  
TC = 25 °C  
VRMS  
36  
Maximum power dissipation, each IGBT  
PD  
W
T
C = 100 °C  
14  
Operating junction and storage temperature range TJ, TStg  
Soldering temperature  
- 40 to + 150  
°C  
For 10 s, (0.063" (1.6 mm) from case)  
6-32 or M3 screw  
300  
5 to 7  
(0.55 to 0.8)  
lbf ⋅ in  
(N ⋅ m)  
Mounting torque  
Notes  
(1)  
(2)  
Repetitive rating; VGE = 20 V, pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 20)  
VCC = 80 % (VCES), VGE = 20 V, L = 10 µH, RG = 23 Ω (see fig. 19)  
Document Number: 94486  
Revision: 01-Sep-08  
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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