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CP753V_10

更新时间： 2024-10-01 09:30:11

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CENTRAL		晶体晶体管
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2页	408K
描述
Small Signal Transistors PNP - High Current Transistor Chip

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CP753V_10 数据手册

PROCESS CP753V

Small Signal Transistors

PNP - High Current Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

66 x 66 MILS

Die Thickness

7.1 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter 1 Bonding Pad Area

Emitter 2 Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 7.9 MILS

7.9 x 9.5 MILS

Al-Si - 30,000Å

Ti/Ni/Ag - 2,000Å/3,000Å/20,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

3,878

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT953

R2 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP753V-CZT953	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP753V-CZT953-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP753V-CZT953-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP754	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 125V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
CP755	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-92
CP756	CDIL	获取价格	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
CP757	CDIL	获取价格	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
CP757X	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP757X-CMLDM5757	CENTRAL	获取价格	430mA,20V Bare die,22.000 X 17.000 mils,MOSFET
CP759R	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip