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CP753V-CZT953

更新时间： 2024-10-01 14:48:35
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4页 570K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CP753V-CZT953 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.74
Base Number Matches：1

CP753V-CZT953 数据手册

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CP753V-CZT953  
PNP - High Current Transistor Die  
5.0 Amp, 100 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP753V-CZT953 is a silicon PNP transistor designed for high current applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
65.7 x 65.7 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
7.9 x 7.9 MILS  
Emitter 1 Bonding Pad Size 7.9 x 9.5 MILS  
Emitter 2 Bonding Pad Size 7.9 x 9.5 MILS  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
Al-Si – 30,000Å  
Ti/Ni/Ag – 2,000Å/3,000Å/20,000Å  
1.96 MILS  
5 INCHES  
3,878  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
Gross Die Per Wafer  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
°C  
A
V
V
V
140  
100  
6.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
T
I
5.0  
-65 to +150  
T
J, stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=100V  
=100V, R ≤1.0kΩ  
=6.0V  
50  
50  
10  
nA  
CBO  
CER  
EBO  
CBO  
CER  
CB  
CE  
EB  
nA  
nA  
V
V
V
BE  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
V
h
h
h
h
h
I =100μA  
140  
140  
100  
6.0  
C
I =10mA, R ≤1.0kΩ  
BE  
C
I =1.0mA  
140  
CEO  
EBO  
C
I =100μA  
V
E
I =100mA, I =10mA  
50  
mV  
mV  
mV  
mV  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
FE  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
120  
220  
420  
1.2  
C
B
B
B
B
I =2.0A, I =200mA  
C
I =4.0A, I =400mA  
C
I =4.0A, I =400mA  
C
V
=1.0V, I =10mA  
=1.0V, I =1.0A  
=1.0V, I =3.0A  
=1.0V, I =4.0A  
=1.0V, I =10A  
=10V, I =100mA, f=50MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
100  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
C
V
V
V
V
V
V
300  
C
C
C
30  
15  
150  
45  
f
C
MHz  
pF  
T
ob  
C
R0 (5-August 2016)  
1234

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