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CP608-CJD32C-CG

更新时间： 2024-11-17 19:37:39

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CP608-CJD32C-CG 技术参数

PROCESS CP608

Power Transistor

Central

Semiconductor Corp.

PNP - Amp/Switch Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL BASE

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

66 X 66 MILS

12.5 ± 1.0 MILS

12 X 24 MILS

11 X 14 MILS

Al - 50,000Å

Cr/Ni/Ag - 16,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

2,630

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CJD32C

TIP32C

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (1-August 2002)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP608-CJD32C-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-CJD32C-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-CJD32C-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-CJD32C-WR	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-CJD32C-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C	CENTRAL	获取价格	100V,3A,2W Bare die,66.000 X 66.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP608-TIP32C-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C-WR	CENTRAL	获取价格	Transistor