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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMPT5088E
CMPT5088E PDF预览

CMPT5088E

更新时间： 2024-11-10 04:12:27
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT ULTRAmini COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

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CMPT5088E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.19Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CMPT5088E 数据手册

 浏览型号CMPT5088E的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMPT5087E PNP  
CMPT5088E NPN  
Central  
DESCRIPTION:  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
SURFACE MOUNT ULTRAmini™  
COMPLEMENTARY  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT5087E, and CMPT5088E, are Silicon  
transistors in an epoxy molded surface mount  
package with enhanced specifications designed  
for applications requiring high gain and low  
noise.  
SILICON TRANSISTORS  
MARKING CODES:  
CMPT5087E PNP MARKING CODE: C2QE  
CMPT5088E NPN MARKING CODE: C1QE  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS: (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
♦
V
V
V
50  
50  
5.0  
100  
350  
V
V
V
mA  
mW  
♦CCoolllleeccttoorr--BEmasiteteVroVltoalgtaege  
♦Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
C
J
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25 C unless otherwise noted)  
A
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
NPN  
PNP  
MAX  
50  
50  
UNITS  
nA  
nA  
V
V
V
mV  
mV  
mV  
I
I
V
V
=20V  
=3.0V  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
C
50  
50  
5.0  
135  
65  
8.7  
45  
110  
700  
430  
435  
430  
125  
150  
105  
7.5  
50  
225  
700  
390  
380  
350  
75  
♦
♦
♦
I =1.0mA  
C
I =100µA  
E
♦V  
I =10mA, I =1.0mA  
100  
400  
800  
900  
C
B
♦♦ VCE(SAT)  
I =100mA, I =10mA  
C
B
V
h
h
h
h
f
C
C
I =10mA, I =1.0mA  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
ib  
fe  
C
B
V
=5.0V, I =0.1mA  
C
300  
300  
300  
50  
♦
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
=5.0V, I =10mA  
C
♦
♦♦  
♦
=5.0V, I =100mA  
C
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
C
100  
MHz  
pF  
pF  
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
3.0  
E
C
C
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
h
NF  
350  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ f=10Hz to 15.7kHz  
dB  
S
♦ Enhanced specification.  
♦♦ Additional Enhanced specification.  
R0 (28-October 2004)  
12

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与CMPT5088E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPT5088EBK CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088ELEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088EPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPT5088ETR CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
CMPT5088LEADFREE CENTRAL

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CMPT5088TR13LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
CMPT5088TR13PBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CMPT5089 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS

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