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CMMT493

更新时间： 2024-11-28 03:26:03

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3页	132K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CMMT493 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

CMMT493 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CMMT493

PIN CONFIGURATION (NPN)

1 = BASE

SOT-23

2 = EMITTER

Formed SMD Package

3 = COLLECTOR

Marking Code is =493

Medium Power Transistor

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

VALUE

120

100

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

UNITS

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Collector Current Peak

Base Current

V_CEO

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

200

500

Power Dissipation @ T_a=25ºC

P_D

Operating And Storage Junction

Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to +150

ºC

Electrical Characterstics (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

CONDITIONS

MIN

120

100

TYP

MAX

UNIT

I_C=100mA, I_E=0

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

*V_CEO(sus)

I_C=10mA, I_B=0

V_EBO

I_CBO

I_CES

I_EBO

I_E=100mA, I_C=0

V_CB=100V, I_E=0

V_CE=100V, V_BE=0

100

0.30

0.60

V_EB=4V, I_C=0

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=1A, I_B=100mA

Collector Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C=1A, I_B=100mA

Base Emitter Saturation Voltage

1.15

1.00

V_BE(on)

*h_FE

V_CE=10V, I_C=1A

Base Emitter On Voltage

DC Current Gain

V_CE=10V, I_C=1mA

100

_CE=10V, I_C=250mA

V_CE=10V, I_C=500mA

V_CE=10V, I_C=1A

300

f_T

V_CE=10V, I_C=50mA, f=100MHz

V_CB=10V, f=1MHz

Transition Frequency

Output Capacitance

150

MHz

C_obo

*Pulse Test: Pulse Width =300 ms, Duty Cycle <2%

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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