CMMT591A

更新时间： 2024-11-28 03:26:03

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描述
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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CMMT591A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

CMMT591A 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

CMMT591A

SOT-23

PIN CONFIGURATION (PNP)

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

MARKING: 59A

Complementary CMMT491A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

SYMBOL

VALUE

5.0

2.0

UNIT

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

Peak Pulse Current

Collector Current Continuous

Base Current

Power Dissipation @Tamb=25 deg C

Operating & Storage Temperature Range

Ptot

Tj, Tstg

1.0

200

500

deg C

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C )

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

5.0

MAX

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

IEBO

ICES

IC=100uA, IE=0

IC=10mA, IB=0

IE=100uA, IC=0

VCB=30V, IE=0

VEB=4V, IC=0

VCE=30V, VBE=0

100

0.20

0.35

0.50

1.1

1.0

Collector-Emitter Cut off Current

Collector Emitter Saturation Voltage

VCE(Sat)* IC=100mA,IB=1mA

IC=500mA,IB=20mA

IC=1A, IB=100mA

VBE(Sat)* IC=1A, IB=50mA

VBE(on)* IC=1A, VCE=5V

Base Emitter Saturation Voltage

Base Emitter on Voltage

DC Current Gain

hFE

IC=1mA,VCE=5V

IC=100mA,VCE=5V*

IC=500mA,VCE=5V*

IC=1A, VCE=5V*

IC=2A, VCE=5V*

300

250

160

800

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

VCE=10V,IC=50mA,

f=100MHz

150

MHz

Output Capacitance

Cobo

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

*Pulsed Conditions pulse width=300us, Duty Cycle=2%

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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