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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMBT3906ETR
CMBT3906ETR PDF预览

CMBT3906ETR

更新时间： 2024-11-18 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 205K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, SOT-923, 3 PIN

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CMBT3906ETR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.74Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

CMBT3906ETR 数据手册

 浏览型号CMBT3906ETR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMBT3904E NPN  
CMBT3906E PNP  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
COMPLEMENTARY FEMTOminiTM  
SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMBT3904E (NPN)  
and CMBT3906E (PNP) are general purpose transistors  
with enhanced specifications. These devices are ideal  
for applications where ultra small size and power  
dissipation are the prime requirements. Packaged in the  
FEMTOmini™ SOT-923 package, these transistors  
provide performance characteristics suitable for the  
most demanding size constrained applications.  
MARKING CODES: CMBT3904E: B  
CMBT3906E: G  
SOT-923 CASE  
FEATURES  
APPLICATIONS  
• Very Small Package Size  
• 200mA Collector Current  
• DC / DC Converters  
• Voltage Clamping  
• Low V  
(0.1V Typ @ 50mA)  
• Protection Circuits  
CE(SAT)  
• Battery powered applications including:  
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,  
PDAs, Laptop Computers, etc.  
• Miniature 0.8 x 0.6 x 0.4mm  
Ultra Low height profile  
FEMTOmini™ Surface Mount Package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
60  
40  
♦
♦
CBO  
V
V
CEO  
V
6.0  
200  
100  
V
EBO  
I
mA  
mW  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
1250  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
TYP  
PNP  
TYP  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V, V =3.0V  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
50  
nA  
CEV  
CE  
EB  
BV  
I =10µA  
C
60  
40  
115  
60  
90  
V
V
V
V
V
V
V
♦
CBO  
BV  
I =1.0mA  
C
55  
CEO  
BV  
I =10µA  
E
6.0  
7.5  
7.9  
♦
♦
♦
EBO  
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.057  
0.100  
0.750  
0.850  
0.050  
0.100  
0.750  
0.850  
0.100  
0.200  
0.850  
0.950  
CE(SAT)  
C
B
V
I =50mA, I =5.0mA  
C B  
CE(SAT  
)
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.650  
BE(SAT  
BE(SAT  
C
B
)
I =50mA, I =5.0mA  
C
B
)
♦ Enhanced specification.  
R0 (17-April 2007)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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