CMBT8050E

更新时间： 2024-11-17 21:54:07

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描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CMBT8050E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	280
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

CMBT8050E 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CMBT8050

PIN CONFIGURATION (NPN)

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

SOT-23

Formed SMD Package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

UNITS

V_CBO

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

800

250

Collector Current Continuous

Collector Dissipation @ T_a=25ºC

P_C

Operating And Storage Junction

Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to +125

ºC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

TEST CONDITION

MIN TYP MAX UNITS

I_C=100mA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

I_E=10mA, I_C=0

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

V_CEO

V_EBO

V_CB=15V, I_E=0

CBO

V_EB=4V, I_C=0

500

400

EBO

h_FE

*I_C=50mA, V_CE=1V

I_C=350mA, V_CE=1V

I_C=500mA, I_B=50mA

100

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.5

1.2

I_C=500mA, I_B=50mA

I_C=100mA, V_CE=10V, f=100MHz

V_CB=10V, f=1MHz

150

MHz

C_ob

Output Capacitance

CLASSIFICATIONS

*h_FE

MARKING

CMBT8050

100 - 400

100 - 200

05C

150 - 300

05D

280 - 400

05E

Data Sheet

Page 1 of 3

Continental Device India Limited

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