CMBT8599

更新时间： 2024-11-21 03:25:59

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	121K
描述
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

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CMBT8599 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.86
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

CMBT8599 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBT8598

CMBT8599

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

P–N–P transistor

Marking

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

CMBT8598 = 2K

CMBT8599 = 2W

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

CMBT 8598

8599

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max. 60

max.

CBO

CEO

EBO

–I

max.

500

225

Total power dissipation at T

D.C. current gain

= 25°C

amb

tot

–I = 100 mA; –V

C CE

= 5 V

min.

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

max. 60

max.

CBO

CEO

EBO

500

–I

max.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CMBT9013	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR
CMBT9013G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23
CMBT9013H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23
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