CMBTA13

更新时间： 2024-09-16 21:55:15

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RECTRON		晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
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描述
NPN Small-Signal Darlington Transistors

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CMBTA13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.22
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

CMBTA13 数据手册

CMBTA13

NPN Small-Signal Darlington Transistors

Pin configuration:

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Unit: inch (mm)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_CES

Value

UNIT

Collector-emmitter voltage (open base)

V_BE= 0

max 30

max 300

max 250

max 150

min 5000

I_C

P_tot

^oC

Collector current (d.c.)

Total power dissipation up to

T_amb= 25^oC

Junction Temperature

D.C. current gain

h_FE

I_C= 10mA; V_CE= 5V

Transition frequency at f = 100MH_Z

I_C= 10mA; V_CE= 5V

f_T

MH_Z

min 125

Ratings (at T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Limmiting values

Symbol

Value

UNIT

Collector-base voltage (open emitter)

V_CBO

max 30

V_BE= 0

Collector-emitter voltage (open base)

V_CES

max 30

V_BE= 0

V_EBO

I_C

Collector-base voltage (open collector)

Collector current

max 10

max 300

Total power dissipation up to

Storge Temperature

P_tot

max 250

_amb= 25^oC

^oC

Tstg

-65 to +150

max 150

Junction Temperature

^oC

Thermal Resistance

R_thA

500

K/mW

from junction to Ambient

www.rectron.com

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