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CMBTA43

更新时间： 2024-09-16 22:48:51

品牌	Logo	应用领域
CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	82K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBTA43 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	200 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

CMBTA43 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBTA42

CMBTA43

SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

N–P–N transistors

Marking

CMBTA42 = 1D

CMBTA43 = 1E

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

CMBT A42

A43

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

max. 300

max.

200 V

CBO

CEO

EBO

500

250

150

° C

Total power dissipation up to T

Junction temperature

= 25 °C

amb

tot

max.

D.C. current gain

= 10 mA; V

= 10 V

min.

Transition frequency at f = 35 MHz

= 10 mA; V = 20 V

MHz

Feedback capacitance at f = 1 MHz

= 0; V = 20 V

max.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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