CMBTA92

更新时间： 2024-01-11 04:41:44

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CDIL		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	141K
描述
SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

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CMBTA92 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CMBTA92 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

SOT-23 Formed SMD Package

CMBTA92

CMBTA93

SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS

P–N–P transistor

Marking

CMBTA92 = 2D

CMBTA93 = 2E

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

CMBT A92

max. 300

max.

A93

Collector–base voltage (open emitter)

Collector–emitter voltage (open base)

Emitter–base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

–V

200 V

CBO

CEO

EBO

500

250

–I

max.

Total power dissipation up to T

D.C. current gain

= 25 °C

amb

tot

–I = 10 mA; –V

= 10 V

min.

Transition frequency at f = 100 MHz

–I = 10 mA; –V = 20 V

MHz

Collector–base capacitance at f = 1 MHz

= 0; –V = 20 V

max.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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